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L’arséniure de gallium est utilisé pour les dépôts en couche mince en épitaxie en phase gazeuse (MOCVD) dans le dépôt de couches de GaAs ou de GaN épitaxiées, sous deux formes : triméthylgallium ((CH 3) 3 Ga) et triéthylgallium ((C 2 H 5) 3 Ga. Vous avez déjà acheté ce produit. La nitrure de gallium (GaN) est un matériel fait très dur qui a une wurtzite la structure cristalline et est probablement le matériel de semi-conducteur le plus important comme matériel de troisième génération semi. Gallium est un élément chimique rare avec le symbole de l'élément Ga et le numéro atomique 31. Parcourez le collectif exhaustif de le nitrure de gallium substrat cristal vendus par des détaillants certifiés à des prix … Le rapport divise la taille du marché, en volume et en valeur, en fonction du type d’application et de la géographie. Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine. 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